LM386N

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专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示，表1为其电气特性。
极限参数：
电源电压
（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V
电源电压（LM386N-4）22V
封装耗散
（LM386N）1.25W
（LM386M）0.73W
（LM386MM-1）0.595W
输入电压±0.4V
储存温度-65℃至+150℃
操作温度0℃至+70℃
结温+150℃

焊接信息
焊接（10秒）260℃
小外形封装（SOIC和MSOP）
气相（60秒）215℃
红外（15秒）220℃

热电阻
qJC （DIP）37℃/W
qJA （DIP）107℃/W
qJC （SO封装）35℃/W
qJA （SO封装）172℃/W
qJA （MSOP封装）210℃/W
qJC （MSOP封装）56℃/W